Rashba效应相关论文
物联网的发展要求器件设备轻便、无线、可穿戴,但是由于缺乏电缆供电以及电池空间和使用时间上的限制,使得方便持续地为这些设备供......
磁性斯格明子是一种拓扑自旋结构,具有纳米尺寸并且可以被超低的电流密度调控,这些特性使其成为数据存储、处理和传输设备中潜在的......
采用Pekar变分法和幺正变换相结合的方法研究了各向异性量子点中束缚磁极化子的Rashba效应和Zeeman效应.通过理论推导,得到束缚磁......
自旋电子学是磁学研究的前沿领域,它研究电子自旋对物质宏观特性的影响,它在学术界和工业界都有着广泛的关注。学术研究中,电子自......
近几年来，有理论预测只有几个原子层厚度的Bi(111)薄膜是一种二维拓扑绝缘体。而最近对生长在拓扑绝缘体Bi2Te3衬底上的双原子层Bi(......
新近实验表明，电流流过垂直磁化的Pt/Co/AlOx 薄膜纳米线时，除存在着众所周知的自旋转矩(STT)效应外[1]；由于薄膜的结构反演非对称性，......
物质的物理与化学性质由物质中的电子结构所决定，因此测量物质中的电子结构对于研究与理解物质性质起着至关重要的作用。其中，光电子......
采用线性组合算符和幺正变换相结合的方法研究了Rashba效应对抛物量子线中强耦合束缚极化子激发态性质的影响, 计算了束缚极化子的......
窄带隙半导体异质结构的自旋效应最近受到了国际上的很大关注.Ⅳ-Ⅵ族半导体具有各向异性和多能谷的特征,因此可以预期Rashba自旋......
本论文详细阐述了基于第一性原理的量子输运问题的理论计算方法,并以此为基础研究了分子电子学中分子器件输运的二维石墨烯单层P-N......
随着信息科学的不断发展,人们对电子器件的要求也向着集成化、小型化方向发展,但原始的电子器件只利用到了电子的电荷属性,这使得......
二维材料由于其卓越的电子特性被认为是未来半导体材料研究的新方向。二维材料中的自旋电子学研究一直是二维材料研究和探索的热点......
高密度下的微电子器件面临着单位面积内过高的热损耗,这严重制约了下一代微电子器件的发展,急需一种低能耗的新型物理器件。自旋电......
经过近十年的发展,钙钛矿太阳能电池的效率由2009年的3.8%提升到现在的24.2%,且具有千小时级的稳定性;蓝、绿和红光钙钛矿LED均具......
能源与信息是当代社会的两大主题，宽禁带半导体在其中发挥着重要的作用。ZnO作为一种十分重要的宽禁带半导体材料，受到了国际上的广......
二维材料以其优越的电学性质、光学特性、热学特性、储能能力、生物活性等特征在微电子材料与器件、光电子材料与器件、自旋电子学......
拓扑绝缘体是一种新的量子物态，它的边界态或者表面态来自于独特的体能带拓扑结构。拓扑材料的分类已经扩展到了超导体、金属和半金......
从1990年Datta和Das提出利用自旋轨道耦合效应制造自旋的场效应管开始，自旋电子学开始注重半导体中的自旋-轨道耦合的研究。 本......
采用LLP变分的方法研究了电子一声子相互作用。结果表明声子对极化子基态能量起了很重要的作用，而且由于极化子分裂能对极化子基态......
本文较为系统的研究了考虑Rashba效应的三角量子阱中极化子的性质。采用改进的线性组合算符和幺正变换相结合的方法导出了三角量子......
拓扑绝缘体和普通绝缘体一样都存在一个体能隙，但是它还有一个导电的边态或者表面态，这些态的形成是由于自旋-轨道耦合和时间反演对......
介观系统就其尺度而言基本上属于宏观范围，但又表现出明显的量子特性。电子在输运过程中仍能够保持波函数的相位相干，从而导致了一些......
采用改进的线性组合算符和幺正变换相结合的方法研究了Rashba效应对抛物量子线中强耦合束缚磁极化子性质的影响。计算了抛物量子线......
基于密度泛函理论的第一性原理电子结构计算方法平衡了计算精度与计算时间,自1964年提出至今,在物理、化学和材料等领域拥有广泛的......
为了研究二维单层过渡金属硫属化物(transition metal dichalcogenides,TMDs)Janus材料的结构及特性,介绍二维TMDs Janus材料的研......
利用磁体进行信息记录的器件都需要操控磁体的磁矩,即使得磁体的磁矩翻转（磁化反转）,从而实现“0”和“1”的信息转化。目前,实现纳......
研究局域化磁性杂质引发的散射势对入射电子自旋取向的影响,该势可用Rashba哈密顿项表示.通过解薛定谔方程求得自旋空间的波函数,......
采用线性组合算符、LLP幺正变换和变分方法，研究Rashba效应下量子点中强耦合束缚极化子有效质量的性质。对RbCl量子点数值计算的结......
采用LLP变分法研究了Rashba效应对三角量子阱中极化子性质的影响,得到了极化子基态能量的表达式.在Rashba效应影响下,分别讨论了基......
研究二维超晶格半导体异质节组成的量子系统,利用传输矩阵及平面波近似方法求出自旋不同取向电子的透射系数、自旋极化度、电导,研......
理论研究存在不同门电压产生的Rashba自旋轨道耦合以及由结构中心反演不对称引起的Dresselhaus自旋轨道耦舍下一维波导中的电子自......
自从石墨烯问世以来,具有各种新奇特性的二维材料在光电设备、自旋电子器件和谷电子器件等领域受到越来越多的关注.其中,使用各种......
PbTe/CdTe体系作为罕见的结构失配的新型异质结构越来越受到人们的关注。窄带隙Ⅳ-Ⅵ族半导体材料PbTe具有NaCl晶格结构,带隙在倒......
采用改进的线性组合算符和幺正变换相结合的方法，导出了三角量子阱中弱耦合极化子的有效质量。讨论了极化子速度、电声子耦合常数和......
卤化物钙钛矿材料在光伏器件应用上取得了巨大的成就,这得益于其具有高的光吸收率、优异的输运性质和对缺陷的高容忍度。近两年发......
研究了外加电场和垒层的Al组分对AlGaN/GaN量子阱中的横向和纵向g因子（g⊥和g//）及其各向异性（δg）的影响.纤锌矿体结构的贡献（S//bulk......
多铁材料因其同时具有铁电性和铁磁性,为发展自旋电子学带来新的方向,其铁性(铁磁性和铁电性)共存及互相耦合作用的机制是热门的研......
自旋晶体管是指利用电子自旋自由度构建的在结构上类似于传统半导体晶体管的三端自旋器件.对基于自旋劈裂的磁双极型自旋晶体管、......
有机-无机杂化钙钛矿(OIHPs)是现阶段较为新颖的光电子材料之一,已被广泛地应用于太阳能电池和发光领域。然而,该类材料已被证实具......
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利用电场控制电荷的自旋流与电流相互转换是自旋电子器件的关键所在,而这种控制机制在铁电半导体GeTe中可以得到实现,因为其铁电极......
在这篇文章中,我们主要研究了对于一个给定入射电子态,在Rashba Spin-Orbit Coupling作用下的无序系统界面处的散射,除了正入射外,......
采用改进的线性组合算符和幺正变换相结合的方法,研究了Rashba效应对半导体量子线中强耦合束缚极化子性质的影响。计算了Rashba效......
Ⅳ-Ⅵ族半导体材料如PbSe和PbTe等具有许多独特的物理性质：窄的直接带隙(-0.3eV),对称的能带结构,重空穴带的缺失,以及低的俄歇复合......
本文首先采用改进的线性组合算符及么正变换方法研究了Rashba效应影响下强耦合束缚极化子的性质。在考虑Rashba自旋轨道耦合相互作......
本篇论文对于半导体异结质中的自旋轨道耦合作用，而导致的自旋能谱分裂提供了一个理论研究方法。当体系翻转对称性被破坏，而导致Kram......
卤族钙钛矿是具有钙钛矿结构化学式的一种半导体材料。根据是否包含有机分子离子可将卤族钙钛矿材料分为:有机无机,全无机卤族钙钛......
讨论了自旋轨道耦合效应的物理起源,介绍了两种不同性质的自旋轨道耦合效应,具体研究了磁性隧道结中自旋轨道耦合效应对电导的影响......
